买卖IC网 >> 产品目录43519 >> BSD816SN L6327 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 datasheet 分离式半导体产品
型号:

BSD816SN L6327

库存数量:5,953
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSD816SN L6327 PDF下载
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 160 毫欧 @ 1.4A,2.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 950mV @ 3.7µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.6nC @ 2.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 180pF @ 10V
功率 - 最大 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装 PG-SOT363-6
包装 标准包装
其它名称 BSD816SN L6327DKR
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市亿联芯电子科技有限公司 18138401919 吴经理
深圳市海天鸿电子科技有限公司 0755-82552857-809 彭小姐、刘先生、李小姐
深圳市新良宇电子有限公司 0755-83237632 李先生
深圳市源运电子商行 15913992480 林先生
深圳国芯威科技有限公司 0755-29676185 国芯威-美滋滋
深圳市司马科技有限公司 13533399478 陈义
深圳市百润电子有限公司 17876146278
科创特电子(香港)有限公司 0755-83014603
中山市帝能电子有限公司 18125213061 苏霞旋
  • BSD816SN L6327 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.648 0.648
    10 0.4596 4.596
    25 0.36288 9.072
    100 0.27576 27.576
    250 0.195312 48.828
    500 0.156264 78.132
    1,000 0.119496 119.496